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腦氧模擬器

ESTO2

腦血氧技術(shù)規(guī)格：

1 組織氧飽和度 StO2 模擬范圍 ：0~100%；

2 組織氧飽和度模擬分辨率： 1%；

3 組織氧飽和度模擬誤差 ：+-2%（40%~90%）以甲方提供樣機(jī)為標(biāo)準(zhǔn)，具體需要參考甲方樣機(jī)算法，初步定為正負(fù) 2%；

4 輻射騷擾（RE）： CLASS B；

5 靜電（ESD） 空氣 8 千伏，接觸 15 千伏（注：非直接接觸光學(xué)探頭）；

6 標(biāo)準(zhǔn)要求 符合 YY0505：2012 和 IEC60601-1-2:2014。

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腦血氧技術(shù)規(guī)格：

1 組織氧飽和度 StO2 模擬范圍 ：0~100%；

2 組織氧飽和度模擬分辨率： 1%；

3 組織氧飽和度模擬誤差 ：+-2%（40%~90%）以甲方提供樣機(jī)為標(biāo)準(zhǔn)，具體需要參考甲方樣機(jī)算法，初步定為正負(fù) 2%；

4 輻射騷擾（RE）： CLASS B；

5 靜電（ESD） 空氣 8 千伏，接觸 15 千伏（注：非直接接觸光學(xué)探頭）；

6 標(biāo)準(zhǔn)要求 符合 YY0505：2012 和 IEC60601-1-2:2014。

腦血氧技術(shù)規(guī)格：

1 組織氧飽和度 StO2 模擬范圍 ：0~100%；

2 組織氧飽和度模擬分辨率： 1%；

3 組織氧飽和度模擬誤差 ：+-2%（40%~90%）以甲方提供樣機(jī)為標(biāo)準(zhǔn)，具體需要參考甲方樣機(jī)算法，初步定為正負(fù) 2%；

4 輻射騷擾（RE）： CLASS B；

5 靜電（ESD） 空氣 8 千伏，接觸 15 千伏（注：非直接接觸光學(xué)探頭）；

6 標(biāo)準(zhǔn)要求 符合 YY0505：2012 和 IEC60601-1-2:2014。